繞核電子在外加磁場(chǎng)的誘導(dǎo)下，產(chǎn)生與外加磁場(chǎng)方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng)，使原子核實(shí)受磁場(chǎng)強(qiáng)度稍有降低，這種核外電子及其他因素對(duì)抗外加磁場(chǎng)的現(xiàn)象稱為屏蔽效應(yīng)。

　　氫原子核外只有一個(gè)電子，不存在屏蔽效應(yīng)。

　　與鉆穿效應(yīng)相反，在多電子原子中，一個(gè)電子不僅受到原子核的引力，而且還要受到其他電子的排斥力。這種排斥力顯然要削弱原子核對(duì)該電子的吸引，可以認(rèn)為排斥作用部分抵消或屏蔽了核電荷對(duì)該電子的作用，相當(dāng)于使該電子受到的有效核電荷數(shù)減少了。于是有Z*=Z-σ，式中Z*為有效核電荷，Z為核電荷。σ為屏蔽常數(shù)，它代表由于電子間的斥力而使原核電荷減少的部分。

　　多電子原子結(jié)構(gòu)復(fù)雜。難以精確的說明一個(gè)電子對(duì)另一個(gè)電子的影響。醫(yī)學(xué)教育|網(wǎng)搜集整理以中性氦原子和氦離子為例：

　　從He⁺（g）中移走電子需要能量為-8.716×10^-18J，實(shí)驗(yàn)表明從He原子中移走一個(gè)電子需要的能量為3.939×10^-18J，可以看出從He⁺中移走電子比從He原子移走同一電子要耗去兩倍多能量，這是由于He原子的兩個(gè)電子相互排斥，相當(dāng)于一個(gè)電子對(duì)另一個(gè)電子產(chǎn)生了電荷屏蔽，削弱了核電荷對(duì)該電子的的吸引力，意味著He原子的核電荷Z（=2）被Z*（=2-σ）代替，從而產(chǎn)生了電子間的相互屏蔽。

　　一般來說，內(nèi)層電子對(duì)外層電子的屏蔽作用大。