一、化學(xué)位移與屏蔽效應(yīng)

　　理想化的、裸露的氫核，當(dāng)滿足共振條件：ν0 / H0 = γ/(2π) 時，產(chǎn)生單一的吸收峰；但這只是在理想情況下，實際上并不存在裸露的氫核。

　　在有機化合物中，氫核不但受周圍不斷運動著的價電子影響。還受到相鄰原子的影響。當(dāng)有機化合物放入強磁場中時，在外磁場作用下，氫核外運動著的電子產(chǎn)生相對于外磁場方向的感應(yīng)磁場，起到屏蔽作用，使氫核實際受到的外磁場作用減小：

　　H =（1-σ）H0

　　σ：屏蔽常數(shù)。

　　σ越大，表明受到的屏蔽效應(yīng)越大。

　　共振條件：ν0 = [γ/(2π) ]（1-σ）H0

　　由于屏蔽作用的存在，氫核產(chǎn)生共振需要更大的外磁場強度（相對于裸露的氫核），來抵消屏蔽的影響。 在有機化合物中，各種氫核周圍的電子云密度不同（結(jié)構(gòu)中不同位置）共振頻率有差異，即引起共振吸收峰的位移，這種現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。

　　高分辨率的儀器能夠記錄有機化合物中具有不同化學(xué)位移的各類質(zhì)子的峰形信號（譜圖）。如右圖所示。但需要建立一個能衡量化學(xué)位移大小的標(biāo)準(zhǔn)，使我們能夠反過來根據(jù)譜圖中信號峰的化學(xué)位移大小，來確定質(zhì)子在化合物中的位置。

　　二、化學(xué)位移的表示方法

　　1．位移的標(biāo)準(zhǔn)

　　沒有完全裸露的氫核，也沒有絕對的標(biāo)準(zhǔn)。

　　相對標(biāo)準(zhǔn)：四甲基硅烷 Si(CH3)4 （TMS）（內(nèi)標(biāo)物）

　　規(guī)定其位移常數(shù) δTMS=0

　　2．為什么用TMS作為基準(zhǔn)?

　　(1) 12個氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，只產(chǎn)生一個尖峰；

　　(2) 屏蔽強烈，位移最大。與有機化合物中的質(zhì)子峰不重迭；

　　(3) 化學(xué)惰性；易溶于有機溶劑；沸點低，易回收。

　　3. 位移的表示方法

　　與裸露的氫核相比，TMS的化學(xué)位移最大，但規(guī)定 δTMS=0 ，則其他種類氫核的位移應(yīng)為負(fù)值，但規(guī)定負(fù)號不加。

　　δ小，屏蔽強，共振需要的磁場強度大，在高場出現(xiàn)，

　　δ大，屏蔽弱，共振需要的磁場強度小，在低場出現(xiàn)，

　　δ= [（ δν樣 - δνTMS) / δνTMS] 106 (ppm)